REPORTE DE EMPRESA
Empresa: EES, S.A. de C.V.
Giro: Fabricación y venta de equipo medico
Estado: Chihuahua
Municipio: Juárez
Colonia: salvarca de Juárez
Domicilio: av. De las torres 7125
C.P. 32580
TEL: 6373263
Me otorgaron la visita a la empresa EES gracias a un familiar que es operador en ella y hablo por mi con la persona encargada, después de unos días me dieron el pase al la empresa con las condiciones de utilizar en todo momento el equipo de seguridad ya que en la empresa la seguridad y la higiene es la mayor prioridad, así como bata, cubre boca, cubre cabello, lentes de seguridad, cubre botas y tuve que lavarme las manos con un liquido especial, a su ves me explicaron que no estaba permitido que tomara fotos a la línea de producción que me habían autorizado visitar.
Al entrar al la empresa conocí a los Ingenieros Daniel Rúelas, Francisco Vázquez, marco córdoba y miguel orduña a quienes agradezco por la visita.
Uno de ellos, Daniel Rúelas me acompaño a la visita de la línea de producción que me habían autorizado, la cual se llamaba Artemis, pero antes me explico un poco sobre la empresa EES y lo que hace.
En ella se hacen productos médicos que se van formando de componentes de plástico, metal, titanio, colágeno, entre otros. Se va formando el producto por medio de maquinas de presión de aire y por medio de ensambles de los operadores, las cuales al finalizar se empacan en charolas de plástico y luego en bolsas de hule y a su ves se mandan en un bébete a Albuquerque para que hay se esterilicen los instrumentos médicos, para así lograr venderlos al cliente.
En la línea de Artemis todo comienza desde la llegada del material el cual es revisado por el departamento de Calidad basándose en estándares o procedimientos del cumplimiento de calidad de los materiales para la fabricación de los productos.
En la línea de Artemis se realiza la producción de productos que sirven para sacar parte del tejido del ceno, se dispara en el ceno titanio y colágeno para que quede de muestra donde se tomo la parte del tejido, para así, si se necesita sacar una nueva muestra se tenga identificado el lugar donde ya se ha realizado con anterioridad y así evitar el revisar la misma parte del tejido.
Este producto requiere de mucha limpieza, para empezar el área de trabajo de limpia con un líquido llamado spach y con agua. Piso se limpia con alcohol.
En esta línea se sacan 1280 piezas por turno. El producto terminado se empaca en un pauch de aluminio y luego a su vez el pauch se empaca en una caja de cartón previamente limpiada, que a su vez se empacan de 4 en 4 en una caja más grande.
El producto se empaca en un área cerrada de cortinas de seguridad, por que como va empacado en cartón no se debe salir de esa área, por las partículas que suelta el cartón.
jueves, 21 de mayo de 2009
lunes, 18 de mayo de 2009
PROYECTO PERSONAL TORNILLO AL BAJO CARBON
ANALISIS DE FALLA Y EFECTOS POTENCIALES FMEA DE PROCESO
Numero de FMEA AUX - 4
Pagina de 1
Articulos tornillo al bajo carbon Responsabilidad del Proceso Elaborado por Estrada Ramon
Año modelo 2009 Fecha Clave Fecha original del FMEA 01/05/2009
Equipo Central Estrada Carreon Juan Ramon Juan Ramon
Resultados de las Acciones
Funcion del Proceso Modo de falla Potencial Efecto potencial de la Falla Severidad Clase Causas potenciales del Mecanismo de falla Ocurrencia Controles actuales del proceso Deteccion RPN Acciones recomendadas Responsables y Fecha meta de Finalizacion Acciones tomadas Severidad Ocurrencia Deteccion RPN
compresion de tornillo no funcional 10 material no adecuado 1 spc 5 30 revisar dada 200 preobservar el acero para el 8 6 8 504
acero fundido quebradiso para uso para la produccion piezas la resistencia Ramon proceso de produccion
del material Estrada
22-may-09
CRITERIO DE EVALUACION DE DETECCION PARA EL PFMEA
Deteccion Criterio Tipos de Inspeccion Rango sugerido de metodos de deteccion Clasificacion
A B C
Casi imposible Absoluta certeza de no deteccion X No puede ser detectado 10
Muy Remoto Los controles probablemente no detectaran X El control se logra con solo chequeos indirectos o aleatorios 9
Remoto Los controles tienen una pobre posibilidad de deteccion X El control se logra con solo inspeccion visual 8
Muy Bajo Los controles tienen una pobre posibilidad de deteccion X El control se logra con doble inspeccion visual 7
Bajo Los controles pueden detectar X X El control se logra con control estadistico del proceso 6
Moderado Los controles pueden detectar X El control se basa en mediciones por variables o con gauges pasa/no pasa aplicandolo al 100% de las partes antes de que salgan de la estacion 5
Moderadamente alto Los controles tienen una buena oportunidad de detectar X X Deteccion de errores en la operación subsecuente o se mide una pieza durante el set up de la maquina 4
Alto Los controles tienen una buena oportunidad de detectar X X Deteccion de errores en la operación subsecuente o por diferentes pruebas o mediciones. No pasan partes discrepantes 3
Muy alto Los controles son casi certeros para detectar X X La deteccion se hace por dispositivos automaticos. No pasan partes discrepantes 2
Cierto Los controles son certeros para detectar X No se pueden hacer partes discrepantes porque todas han sido fabricadas a prueba de error 1
A: A prueba de error
B: Medicion con instrumentos
C: Inspeccion visual
PLAN DE CONTROL
Prototipo Piloto X Produccion Contacto. Clave/Telefono Fecha original Fecha de revision Pagina de
Numero de plan de control 8110475 6-83-55-46 30/04/2009 06/05/2009
Numero de parte 354315035 Equipo Central Aprobacion de ingenieria del cliente/fecha 11-may-09
Nombre de la parte tornillo de acero al bajo carbon Aprobacion del proveedor/fecha 22-may-09 Aprobacion de calidad del cliente/fecha 11-may-09
Proveedor/Planta OXIGEN Codigo de Proveedor 32580 Otra aprobacion/Fecha Otra aprobacion/Fecha
Numero de Parte del Proceso Nombre del Proceso/Descripcion de la Operación Herramientas escantillones para manufactura Caracteristicas Clasificacion de caracteristicas especiales Metodos Plan de Reaccion
Numero Producto Proceso Tolerancias especificadas Evaluacion tecnicas de Medicion Muestra Metodo de Control
Tamaño Frecuencia
241613124 compresion de acero
N/A 654654654 tornillo fundicion alta ducera y resistencia ,01 mm resistencia 1 de cada 50 piezas 3 prueva de r 1
y enfriado para darle resistencia
duera Sistema de control de calidad de tornillos por visión artificial
Sistema de control dimensional y superficial de tornillos por visión artificial, integrado en las máquinas desarrolladas por esta ingeniería. Se desarrollaron 4 unidades. Capaz de realizar más de 400 medidas con una resolución de 0,1 mm. El sistema permite la verificación en tiempo real del perfil del tornillo:
• Diámetros exterior e interior
• Ángulo y paso entre filetes
• Diámetros de sangrado y de punta
• Altura de tornillo y de sangrado
El sistema puede procesar 300 tornillos por minuto.
Nota: en el siguiente link hay un video en el cual muestra el proceso de producción de un tornillo y el proceso de calidad que lleva.
http://www.measurecontrol.com/como-se-fabrican-los-tornillos/
Numero de FMEA AUX - 4
Pagina de 1
Articulos tornillo al bajo carbon Responsabilidad del Proceso Elaborado por Estrada Ramon
Año modelo 2009 Fecha Clave Fecha original del FMEA 01/05/2009
Equipo Central Estrada Carreon Juan Ramon Juan Ramon
Resultados de las Acciones
Funcion del Proceso Modo de falla Potencial Efecto potencial de la Falla Severidad Clase Causas potenciales del Mecanismo de falla Ocurrencia Controles actuales del proceso Deteccion RPN Acciones recomendadas Responsables y Fecha meta de Finalizacion Acciones tomadas Severidad Ocurrencia Deteccion RPN
compresion de tornillo no funcional 10 material no adecuado 1 spc 5 30 revisar dada 200 preobservar el acero para el 8 6 8 504
acero fundido quebradiso para uso para la produccion piezas la resistencia Ramon proceso de produccion
del material Estrada
22-may-09
CRITERIO DE EVALUACION DE DETECCION PARA EL PFMEA
Deteccion Criterio Tipos de Inspeccion Rango sugerido de metodos de deteccion Clasificacion
A B C
Casi imposible Absoluta certeza de no deteccion X No puede ser detectado 10
Muy Remoto Los controles probablemente no detectaran X El control se logra con solo chequeos indirectos o aleatorios 9
Remoto Los controles tienen una pobre posibilidad de deteccion X El control se logra con solo inspeccion visual 8
Muy Bajo Los controles tienen una pobre posibilidad de deteccion X El control se logra con doble inspeccion visual 7
Bajo Los controles pueden detectar X X El control se logra con control estadistico del proceso 6
Moderado Los controles pueden detectar X El control se basa en mediciones por variables o con gauges pasa/no pasa aplicandolo al 100% de las partes antes de que salgan de la estacion 5
Moderadamente alto Los controles tienen una buena oportunidad de detectar X X Deteccion de errores en la operación subsecuente o se mide una pieza durante el set up de la maquina 4
Alto Los controles tienen una buena oportunidad de detectar X X Deteccion de errores en la operación subsecuente o por diferentes pruebas o mediciones. No pasan partes discrepantes 3
Muy alto Los controles son casi certeros para detectar X X La deteccion se hace por dispositivos automaticos. No pasan partes discrepantes 2
Cierto Los controles son certeros para detectar X No se pueden hacer partes discrepantes porque todas han sido fabricadas a prueba de error 1
A: A prueba de error
B: Medicion con instrumentos
C: Inspeccion visual
PLAN DE CONTROL
Prototipo Piloto X Produccion Contacto. Clave/Telefono Fecha original Fecha de revision Pagina de
Numero de plan de control 8110475 6-83-55-46 30/04/2009 06/05/2009
Numero de parte 354315035 Equipo Central Aprobacion de ingenieria del cliente/fecha 11-may-09
Nombre de la parte tornillo de acero al bajo carbon Aprobacion del proveedor/fecha 22-may-09 Aprobacion de calidad del cliente/fecha 11-may-09
Proveedor/Planta OXIGEN Codigo de Proveedor 32580 Otra aprobacion/Fecha Otra aprobacion/Fecha
Numero de Parte del Proceso Nombre del Proceso/Descripcion de la Operación Herramientas escantillones para manufactura Caracteristicas Clasificacion de caracteristicas especiales Metodos Plan de Reaccion
Numero Producto Proceso Tolerancias especificadas Evaluacion tecnicas de Medicion Muestra Metodo de Control
Tamaño Frecuencia
241613124 compresion de acero
N/A 654654654 tornillo fundicion alta ducera y resistencia ,01 mm resistencia 1 de cada 50 piezas 3 prueva de r 1
y enfriado para darle resistencia
duera Sistema de control de calidad de tornillos por visión artificial
Sistema de control dimensional y superficial de tornillos por visión artificial, integrado en las máquinas desarrolladas por esta ingeniería. Se desarrollaron 4 unidades. Capaz de realizar más de 400 medidas con una resolución de 0,1 mm. El sistema permite la verificación en tiempo real del perfil del tornillo:
• Diámetros exterior e interior
• Ángulo y paso entre filetes
• Diámetros de sangrado y de punta
• Altura de tornillo y de sangrado
El sistema puede procesar 300 tornillos por minuto.
Nota: en el siguiente link hay un video en el cual muestra el proceso de producción de un tornillo y el proceso de calidad que lleva.
http://www.measurecontrol.com/como-se-fabrican-los-tornillos/
lunes, 2 de marzo de 2009
ESTRUCTURA DE LOS SEMICONDUCTORES
ESTRUCTURA DE UN SEMICONDUCTOR
Conducción Electrica
Para que la conducción de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones que no estén ligados a un enlace determinado (banda de valencia), sino que sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de conducción). La separación entre la banda de valencia y la de conducción se llama banda prohibida, porque en ella no puede haber portadores de corriente. Así podemos considerar tres situaciones:
• Los metales, en los que ambas bandas de energía se superponen, son conductores.
• Los aislantes (o dieléctricos), en los que la diferencia existente entre las bandas de energía, del orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones.
• Los semiconductores, en los que el salto de energía es pequeño, del orden de 1 eV, por lo que suministrando energía pueden conducir la electricidad; pero además, su conductividad puede regularse, puesto que bastará disminuir la energía aportada para que sea menor el número de electrones que salte a la banda de conducción; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya conductividad es constante, o más propiamente, poco variable con la temperatura.
Tipos de semiconductores
Semiconductores intrínsecos
Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la banda de conducción, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno, se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n"la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensión, se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos (2), originando una corriente de huecos en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.
Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender como se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero....
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo trivalente (típicamente del grupo IIIA de la tabla periódica) de los átomos vecinos se le une completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Conducción Electrica
Para que la conducción de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones que no estén ligados a un enlace determinado (banda de valencia), sino que sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de conducción). La separación entre la banda de valencia y la de conducción se llama banda prohibida, porque en ella no puede haber portadores de corriente. Así podemos considerar tres situaciones:
• Los metales, en los que ambas bandas de energía se superponen, son conductores.
• Los aislantes (o dieléctricos), en los que la diferencia existente entre las bandas de energía, del orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones.
• Los semiconductores, en los que el salto de energía es pequeño, del orden de 1 eV, por lo que suministrando energía pueden conducir la electricidad; pero además, su conductividad puede regularse, puesto que bastará disminuir la energía aportada para que sea menor el número de electrones que salte a la banda de conducción; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya conductividad es constante, o más propiamente, poco variable con la temperatura.
Tipos de semiconductores
Semiconductores intrínsecos
Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la banda de conducción, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno, se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n"la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensión, se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos (2), originando una corriente de huecos en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.
Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender como se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero....
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo trivalente (típicamente del grupo IIIA de la tabla periódica) de los átomos vecinos se le une completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
ESTRUCTURA DE LOS POLIMEROS
Polimerización y estructura
La reacción por la cual se sintetiza un polímero a partir de sus monómeros se denomina polimerización. Según el mecanismo por el cual se produce la reacción de polimerización para dar lugar al polímero, ésta se clasifica como polimerización por pasos o como polimerización en cadena. En cualquier caso, el tamaño de la cadena dependerá de parámetros como la temperatura o el tiempo de reacción, teniendo cada cadena un tamaño distinto y, por tanto, una masa molecular distinta, por lo que se habla de masa promedio para el polímero.
La polimerización en etapas (condensación) necesita monómeros bifuncionales.
Ejemplo: HOOC--R1--NH2
Si reacciona con sí mismo, entonces:
2 HOOC--R1--NH2 <----> HOOC--R1--NH· + ·OC--R1--NH2 + H2O <----> HOOC--R1-NH--CO--R1--NH2 + H2O
Tacticidad de poliestireno, atáctico, sindiotáctico, isotáctico
La estructura puede ser lineal o también ramificada (aparte de poder presentar entrecruzamientos). También pueden adoptar otras estructuras, por ejemplo radiales.
Polimerización del estireno para dar poliestireno
n indica el grado de polimerización
Por otra parte, los polímeros pueden ser lineales, formados por una única cadena de monómeros, o bien esta cadena puede presentar ramificaciones de mayor o menor tamaño. También se pueden formar entrecruzamientos provocados por el enlace entre átomos de distintas cadenas.
La naturaleza química de los monómeros, su masa molecular y otras propiedades físicas, así como la estructura que presentan, determinan diferentes características para cada polímero. Por ejemplo, si un polímero presenta entrecruzamiento, el material será más difícil de fundir que si no presentara ninguno.
Los enlaces de carbono en los polímeros no son equivalentes entre sí, por eso dependiendo del orden estereoquímico de los enlaces, un polímero puede ser: atáctico (sin orden), isotáctico (mismo orden), o sindiotáctico (orden alternante) a esta conformación se la llama tacticidad. Las propiedades de un polímero pueden verse modificadas severamente dependiendo de su estereoquímica.
En el caso de que el polímero provenga de un único tipo de monómero se denomina homopolímero y si proviene de varios monómeros se llama copolímero o heteropolímero. Por ejemplo, el poliestireno es un homopolímero, pues proviene de un único tipo de monómero, el estireno, mientras que si se parte de estireno y acrilonitrilo se puede obtener un copolímero de estos dos monómeros.
En los heteropolímeros los monómeros pueden distribuirse de diferentes maneras, particularmente para polímeros naturales, los monómeros pueden repetirse de forma aleatoria, informativa (como en los polipéptidos de las proteínas o en los polinucleótidos de los ácidos nucleicos) o periódica, como en el peptidoglucano o en algunos polisacáridos.
Los monómeros que conforman la cadena de un copolímero se pueden ubicar en la cadena principal alternándose según diversos patrones, denominándose copolímero alternante, copolímero en bloque, copolímero aleatorio, copolímero de injerto. Para lograr este diseño, la reacción de polimerización y los catalizadores deben ser los adecuados.
a) Homopolímero b) Copolímero alternante
c) Copolímero en bloque d) Copolímero aleatorio
e) Copolímero de injerto
Finalmente, los extremos de los polímeros pueden ser distintos que el resto de la cadena polimérica, sin embargo es mucho más importante el resto de la cadena que estos extremos debido a que la cadena es de una gran extensión comparada con los extremos.
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